普賽斯|設備|COC抽屜式老化系統

普賽斯(PRECISE) / PSS COC BI 系列

COC抽屜式老化系統

COC BI 老化系統為高效率COC老化系統。
支援大電流、窄脈衝加電老化,用於晶片在高溫,穩定電流條件的長時間可靠性實驗。

支援前光功率檢測,軟體實時監測老化過程數據,支援用戶對晶片進行壽命分析和老化篩選。

整機採用抽屜式格局,最多支援10層,40個老化抽屜,可根據具體的老化規模需求配置老化箱的層數。

PSS COCBI 系列

產品特點

  • 每個抽屜可獨立控溫和獨立加載驅動電流,可實現多溫區、多品種、多過程老化作業。
  • 支援 3A脈衝式電流、1us窄脈寬加電老化。
  • 單層老化箱可獨立使用,也可透過機架組合增加老化規模,更有彈性。
  • 支援輸出功率線上監測功能,每個抽屜都可以選配此功能。
  • 可選配 N2填充保護,支援氣密型 LD COC老化。
  • 加熱結構屬於平面加熱結構,可有效提高夾具的溫度均勻性。
  • 支援客戶 MES系統。
  • 可選配 UPS,防止工廠意外斷電。
  • 系統自鎖結構,上電後自鎖,防止員工意外熱插拔。

技術規格

項目規格
單抽屜支援COC數量支援夾具定制,
每個夾具支援的數量與COC 尺寸和加電電流大小相關
抽屜個數4~40個
抽屜DUT發熱功率<32W
項目規格
直流電流範圍0~2A
直流電壓範圍4~40V
脈衝電流範圍0~3A
脈衝峰值電流檢測範圍0~3A
脈衝峰值電壓檢測範圍0~5V
脈衝加電特性脈寬:1us~20us 可調;
佔空比:0.01%~10% 可調
項目規格
前光峰值功率監測0~0.1mW,精度 0.5%rdg±1uW;
0~1mW,精度 0.5%rdg±5uW;
0~10mW,精度 0.5%rdg±50uW;
0~500mW,精度 0.5%rdg±2.5mW
波長850~1700nm
項目規格
溫度範圍0RT+20℃~120℃,
可客製更高溫度
升溫速度典型值:4°C/Min
溫度穩定性±0.5°C,典型值@100°C
溫度均勻性±1°C,典型值@100°C
項目規格
共享共享dll
數據庫系統自備 SQL資料庫,
支援客戶 MES系統
在位檢測支援
項目規格
EOS緩慢上下電不過衝
ESD防靜電設計

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