普賽斯(PRECISE) / PSS COC BI 系列
COC抽屜式老化系統
COC BI 老化系統為高效率COC老化系統。
支援大電流、窄脈衝加電老化,用於晶片在高溫,穩定電流條件的長時間可靠性實驗。
支援前光功率檢測,軟體實時監測老化過程數據,支援用戶對晶片進行壽命分析和老化篩選。
整機採用抽屜式格局,最多支援10層,40個老化抽屜,可根據具體的老化規模需求配置老化箱的層數。
產品特點
- 每個抽屜可獨立控溫和獨立加載驅動電流,可實現多溫區、多品種、多過程老化作業。
- 支援 3A脈衝式電流、1us窄脈寬加電老化。
- 單層老化箱可獨立使用,也可透過機架組合增加老化規模,更有彈性。
- 支援輸出功率線上監測功能,每個抽屜都可以選配此功能。
- 可選配 N2填充保護,支援氣密型 LD COC老化。
- 加熱結構屬於平面加熱結構,可有效提高夾具的溫度均勻性。
- 支援客戶 MES系統。
- 可選配 UPS,防止工廠意外斷電。
- 系統自鎖結構,上電後自鎖,防止員工意外熱插拔。
技術規格
系統規格
項目 規格 單抽屜支援COC數量 支援夾具定制,
每個夾具支援的數量與COC 尺寸和加電電流大小相關抽屜個數 4~40個 抽屜DUT發熱功率 <32W 電參數
項目 規格 直流電流範圍 0~2A 直流電壓範圍 4~40V 脈衝電流範圍 0~3A 脈衝峰值電流檢測範圍 0~3A 脈衝峰值電壓檢測範圍 0~5V 脈衝加電特性 脈寬:1us~20us 可調;
佔空比:0.01%~10% 可調光參數
項目 規格 前光峰值功率監測 0~0.1mW,精度 0.5%rdg±1uW;
0~1mW,精度 0.5%rdg±5uW;
0~10mW,精度 0.5%rdg±50uW;
0~500mW,精度 0.5%rdg±2.5mW波長 850~1700nm 溫控參數
項目 規格 溫度範圍 0RT+20℃~120℃,
可客製更高溫度升溫速度 典型值:4°C/Min 溫度穩定性 ±0.5°C,典型值@100°C 溫度均勻性 ±1°C,典型值@100°C 上機位
項目 規格 共享 共享dll 數據庫 系統自備 SQL資料庫,
支援客戶 MES系統在位檢測 支援 安全防護
項目 規格 EOS 緩慢上下電不過衝 ESD 防靜電設計