普賽斯|設備|面射型晶圓測試機

100ns脈衝Bar條測試機

邊射型晶粒點測分選機

面射型晶圓測試機

普賽斯(PREISE) / WT-VL602

面射型 VCSEL 晶圓測試機

高功率 VCSEL 晶圓測試設備用於垂直腔面發射類型雷射晶片的晶圓測試,支援 100ns級脈寬最大 30A電流的 LIV、光譜、近場、遠場相關參數的測試,視覺自動識別,全自動完成每一顆晶片測試;支援 25~85℃ 溫度測試。
標配 6吋晶圓測試,且相容於 2吋、4吋晶圓及破片測試。

  • 支援窄脈衝大電流 (最小脈衝100ns,最大電流30A) 測試,雙探針四線法測試,且探針壓力可調
  • LIV測試採用積分球收光,積分球收光一部分用於OSA測試
  • 在近、遠場測試時,可選用不同的相機鏡頭

產品特點

  • 相容 2吋、4吋、6 吋晶圓測試。
  • 支援窄脈衝 (100ns),最大電流 30A 測試。
  • 支援同面和異面設計的 VCSEL 晶圓測試。
  • TEC 溫控,溫度範圍可支援 25~85℃。
  • 支援四線制電壓測試。
  • 支援 NF 均勻性和暗壞點測試。
  • 支援 FF 遠場發散角測試。

技術規格

項目規格
適用晶圓尺寸2吋、4吋、6吋
晶片加電方式支援同面和異面類型的Vcsel加電
脈衝電流輸出範圍 0~30A,精度 0.5%rdg±250mA,最小脈寬100ns
電壓測量範圍範圍 0~40V,精度 0.5%rdg±250mV
功率測試範圍採用積分球收光,範圍 0~200W,精度 0.5% FS±10mW
波長範圍400~1100nm;
可客製其他波長
輸出特性曲線(1) LIV 特性曲線
(2) 光譜曲線
LIV測試參數Ith,V,Ir,SE,Rs,P,PCE,波長,FWHM 等
近場測試參數發光孔數,暗壞點、一致性;
另可自訂M2、孔發散角、束腰測試功能
遠場測試參數發散角 (1/e²,D86,D50)、DIP
光譜參數λp 峰值波長
測試臺溫控範圍25~85℃,穩定性<±1℃

TOP

zh_TW繁體中文