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100ns脈衝Bar條測試機

邊射型晶粒點測分選機

面射型晶圓測試機

普賽斯(PREISE) / CHIP25401

邊射型晶粒點測分選機

本設備應用於晶片常溫 / 高溫PIV和光譜測試,並對不同測試結果進行歸類分級篩選。

載台可平移旋轉,支援斜光腔晶片測試。支援積分球、大面積PD、準直耦合、擺臂式FFP 測試。

遠場發散角測試:水平及垂直方向擺臂式空間掃描,精確度在0.1°以內。

  • 多探針加電機構,最多支援5探針。自帶探針壓力監測,即時回饋探針接觸力

    備註:五個電極以上特殊晶片,可採用客製化探針卡結構。

產品特點

  • 視覺系統自動搜尋晶片、OCR辨識 (光學字元辨識)。
  • 雙探針結構,自動下壓加電,探針接觸壓力可調整、即時監控。
  • 溫度 TEC 控溫,常溫15~30℃、高溫30~90℃。
  • 積分球收光,測試 PIV 和光譜特性。
  • 測試分選,良品依測試結果自動分檔歸類。
  • 下料配置 6個 BinBlock 或 4個 GelPak 盒。
  • 生產過程中的異常狀況均有警報提示及糾錯提示功能。

技術規格

項目規格
適合晶片尺寸腔長L x 寬W x 厚H : 600-4000 μm x 250-1000 μm x 90-150 μm
可客製其他尺寸的吸嘴和測試載台
測量內容LIV (Ith,Po,Vf,Im,Rs,SE,Kink 等)、波長(λ)、發散角(FFP),EA、SOA
源表規格普賽斯 PLT2302
CW 連續波
*0~0.2A,±(0.05%RDG+0.05mA)
*0~1A,±(0.05%RDG+0.25mA)
*0~5A,±(0.05%RDG+1.25mA)

QCW 準連續波:最小脈衝寬度 10μs,佔空比最大30%
*0~0.2A,±(0.05%RDG+0.05mA)
*0~1A,±(0.05%RDG+0.25mA)
*0~5A,±(0.05%RDG+1.25mA)
*0~10A,±(0.05%RDG+2.5mA)
LD/SOA 驅動電流最小脈衝寬度 100μs,佔空比最大 100%。可連續波。
EA 驅動電壓:-10V~10V,
測定EA電流 0~200mA
波長測試功率+20~-90dbm;精度0.1% FS±50uW;
分辨率0.1nm;相應精度0.3nm;
波長範圍600~1700nm;相應速度0.2s/100nm
橫河(Yokogawa)或安立知(Arnitsu)光譜儀客戶指定型號
光功率測試最大輸入功率≤2W
光功率採集PD直接採集 或 光纖耦合配合PD採集測試消光比
發散角±45°,分辨率± 0.072°
溫度控制15~90℃;穩定性≤ ±1℃ (實測≤0.2℃)

型號配置清單

CHIP25401-X
型號規格
PSS CHIP15401-EEML 單溫測試機
PSS CHIP15401-EFEML+FFP 單溫測試機
PSS CHIP15401-ESEML+SOA 單溫測試機
PSS CHIP15401-ESFEML+SOA+FFP 單溫測試機
PSS CHIP25401-EEML 雙溫測試機
PSS CHIP25401-EFEML+FFP 雙溫測試機
PSS CHIP25401-ESEML+SOA 雙溫測試機
PSS CHIP25401-ESFEML+SOA+FFP 雙溫測試機
PSS CHIP25401-LTEML+SOA 雙溫(含低溫)測試機

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